平板手机抵押典当，台积电1nm 以下芯片制程方面取得重大突破

　　最近，台积电联合台大和美国麻省理工学院(MIT)正式宣布，平板手机抵押在1nm以下的芯片工艺方面取得了重大突破。
 

 

　　研究发现，二次元材料结合半金属铋(Bi)可大大降低阻力，提高传输电流，实现接近量子极限的能效，解决了长期以来二次元材料的高阻力和低电流等问题，有助于实现半导体1nm以下的工艺挑战。
 

 

　　该研究成果由台大电机系统和光电所教授吴志毅与台积体电路和MIT研究团队共同完成，平板手机抵押典当从2019年开始持续了一年以上的三方跨国合作，现在终于取得了突破性的研究成果。

　　吴志毅教授表介绍，将铋(Bi)作为接触电极的重要结构，二维材料晶体管的性能不仅与硅半导体相当，还具有与现在主流的硅基工艺技术相容的潜力，有助于未来突破摩尔法则界限。
 

 

　　随着晶体单位面积可容纳的晶体管数量接近主流硅基材料的物理极限，平板手机典当晶体管的效能不能逐年显着提高。近年来，科学界也积极寻找替代硅的二维材料，但这次的发现确实给芯片工艺技术的发展打了强心针。

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